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- 碳化硅陶瓷凝膠注模成型工藝[ 08-19 10:18 ]
- 凝膠注成型工藝是制備碳化硅陶瓷部件的基礎，該工藝是一種精細的膠態(tài)成型工藝(Colloidalprocessing)，可實現大尺寸、復雜結構坯體的高強度、高均勻性、近凈尺寸成型，陶瓷料漿制備是凝膠注模成型工藝中的關鍵環(huán)節(jié)之一。 就碳化硅在光刻機構件中的應用而言，分散良好、高穩(wěn)定性水基碳/碳化硅料漿的制備是獲得優(yōu)質、均勻結構碳/碳化硅坯體的前提。此外，料漿具有高的固相體積分數則可以有效減小陶瓷坯體干燥時的收縮，有利于實現陶瓷部件的近凈尺寸成型。相應地，陶瓷料漿的制備需要解決兩大難題：一是碳和碳化硅兩種陶瓷粉料在相
- 集成電路制造裝備用精密陶瓷結構件的特點[ 08-18 16:52 ]
- 集成電路制造關鍵技術及裝備主要有包括光刻技術及光刻裝備、薄膜生長技術及裝備、化學機械拋光技術及裝備、高密度后封裝技術及裝備等，均涉及高效率、高精度、高穩(wěn)定性的運動控制技術和驅動技術，對結構件的精度和結構材料的性能提出了極高的要求。 以光刻機中工件臺為例，該工件臺主要負責完成曝光運動，要求實現高速、大行程、六自由度的納米級超精密運動，如對于100nm分辨率、套刻精度為33nm和線寬為10nm的光刻機，其工件臺定位精度要求達到10nm，掩模硅片同時步進和掃描速度分別達到150nm/s和120nm/s，掩模掃描速度
- 集成電路制造裝備用精密陶瓷結構件制備難點[ 08-17 14:46 ]
- 在IC產業(yè)中，集成電路制造裝備具有極其重要的戰(zhàn)略地位，以光刻機為代表的集成電路關鍵裝備是現代技術高度集成的產物，其設計和制造過程均能體現出包括材料科學與工程、機械加工等在內的諸多相關科學領域的最高水平。集成電路制造關鍵裝備要求零部件材料具有輕質高強、高導熱系數和低熱膨脹系數等特點，且致密均勻無缺陷，還要求零部件具有極高的尺寸精度和尺寸穩(wěn)定性，以保證設備實現超精密運動和控制，因此對材料性能以及制造水平要求非?？量獭? 碳化硅陶瓷具有高的彈性模量和比剛度，不易變形，并且具有較高的導熱系數和低的熱膨脹系數，熱穩(wěn)定性高
- 固相燒結碳化娃(SSiC)優(yōu)缺點[ 08-16 14:41 ]
- 固相燒結碳化硅晶界較為“干凈”，高溫強度并不隨溫度的升高而變化，一般在溫度達1600℃強度不發(fā)生變化。固相燒結碳化硅主要缺點是需較高的燒結溫度(>2000℃)，對原材料的純度要求高，燒結體斷裂韌性較低，有較強的裂紋強度敏感性，在結構上表現為晶粒粗大且均勻性差，斷裂模式為典型的穿晶斷裂。 SSiC材質的泵的軸、滑動和密封環(huán)具有長使用壽命的多項優(yōu)勢。在高工作溫度下也具有出色的耐化學性和耐腐蝕性。因此，SSiC是所有需要高耐磨性的領域的最佳陶瓷材料。京瓷可提供定制最大外徑達560毫米的大型精
- 如何實現碳化硅晶圓的高效低損傷拋光？[ 08-15 17:33 ]
- SiC晶型結構特點使得SiC材料具有較高硬度與化學穩(wěn)定性，導致在拋光過程中材料去除率較低，因此探索基于化學機械拋光基本工藝的輔助增效手段，對于實現SiC材料產業(yè)化應用和推廣具有重要的意義。 化學機械拋光輔助增效技術材料去除機理本質是通過輔助增效技術手段來控制SiC表面較軟氧化層的形成并從力學上改善SiC氧化層材料的去除方式。目前拋光中的輔助增效手段主要有等離子輔助、催化劑輔助、紫外光輔助和電場輔助。 01等離子輔助工藝 等離子輔助拋光(PlasmaAssistedPolishing，PAP)工藝是
